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Electricité - Electronique | |
LES TRANSISTORS |
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Un transistor est un dispositif à 3 points qui laisse passer un courant plus important que celui injecté sur sa cde.
Il existe différents types de transistors les Bipolaires, les MOS, les FET.
Les bipolaires NPN et PNP
On le commande en courant, Ib sur la base et son courant d'entrée est proportionnel au courant de collecteur Ic. Le courant d'émetteur est Ib+Ic. Le courant d'entrée donne aussi une tension d'entrée Vbe de l'ordre de 0.7V relativement stable. En saturation on obtient un Vce sat assez faible proportionnel au courant Ic.
Paramètres important:
Gain en courant (hFE ou symbole grec Beta), la fourchette peut être large d'un échantillon à un autre. Il peut exister un classement ( extension avec une lettre ou un nombre) qui peut limiter cette fourchette. Donné en mode linéaire petit signaux c'est à dire en mode amplication avec un courant Ic donné, Vce donné.
Courant max Collecteur, Ic max
Tension max collecteur, Vce max
Puissance: influencé par le boitier, elle dépends aussi de la température de fonctionnement ce paramètre est donné pour 25°C et deviendra nulle vers 125°C à 150°C suivant le boitier
voir CALCULS D'ALIMENTATION pour des information sur la dissipation.
Boitier: métallique (attention dans ce cas le collecteur est relié au corps) TO18 ou dit plastique TO92. L'équivalent en CMS (SMD) SOT23
Fréquence de transition fT
Ex: BC547
Ic max 0.1A, Vce max 45V, hFE min 110, Pmax 0.5W,fT 300MHz, Vce sat max 0.6 V
Un classement d'utilisation suivant les modèles Utilisation Générale, Commutation, Basse Fréquence de puissance, Darlington (2 intégré transistors en cascade),Basse Fréquence de puissance haute tension, RF (HF, pour radio), RF de puissance.
Les FET canal N ou P
On le commande en tension, sur la Gate et son courant d'entrée est très faible. Soit Vgs, de l'ordre de - 3.5V(FET N). Le courant Ids dépends de cette tension Vgs. On retrouve une analogie avec le bipolaire.
Les MOS canal N et P
On le commande en tension, sur la Gate et son courant d'entrée est très faible. Soit Vgs, de l'ordre de 3.5V(MOS N). Le courant Ids dépends de cette tension Vgs. Une diode est montée en inverse entre Drain et Source. On donne la valeur de la résistance max entre Source et Drain et le courant Ids max
